EUV光刻机，浪掷电量与一座小城市颠倒
EUV光刻机，耗电问题很严峻。
极紫外 (EUV) 光刻手艺关于改日数年当代工艺手艺和半导体制造至关垂危。但是，每台 EUV 光刻机的耗电量为 1,400 千瓦（足以为一座小城市供电），EUV 光刻系统已成为影响环境的多数电力浪掷者。TechInsights 以为 ，到 2030 年，总共配备 EUV 光刻机的晶圆厂的年耗电量将越过 54,000 千兆瓦 (GW)，这比新加坡或希腊等很多国度每年的耗电量还要多。
咫尺的低 NA EUV 扫描仪需要高达 1,170 kW 的功率，而下一代高 NA 器具展望每台需要高达 1,400 kW 的功率（凭据 TechInsights）。英特尔、好意思光、三星、SK 海力士，天然还有台积电运营的晶圆厂安装的此类机器数目每年皆在增多。
TechInsights 以为，到 2030 年，配备 EUV 扫描仪的晶圆厂数目将从当今的 31 家增多到 59 家，运行中的开垦数目将增多一倍驾驭。因此，总共安装的 EUV 系统每年将浪掷 6,100 GW 的电力，这意味着到当时将非凡百台机器过问运行。
6,100 GW/年的耗电量（与卢森堡颠倒）不算多。但是，制造每颗先进芯片需要 4,000 多个神气，而晶圆厂中非凡百种器具。EUV 开垦约占晶圆厂总用电量的 11%，其余部分由其他器具、HVAC、标准系统和冷却开垦构成。因此，总共配备低 NA 和高 NA EUV 光刻机的晶圆厂的耗电量臆想将增多到 54,000 GW/年。
具体来说，每年 54,000 千兆瓦的电力大致是 Meta 数据中心在 2023 年浪掷的电力的五倍。这也越过了新加坡、希腊或罗马尼亚每年的电力浪掷，是拉斯维加斯通衢每年电力浪掷的 19 倍多。但是，天然这是一个颠倒大的电力量，但它仅占 2021 年人人电力浪掷（25,343,000 千兆瓦/年）的 0.21%，这是一个颠倒小的份额。
很容易推断，要是 59 个配备 EUV 光刻机的顶端半导体分娩标准每年浪掷 54,000 GW，则每个标准每年将浪掷 915 GW，与最先进的数据中心的电力浪掷颠倒。
展望到 2030 年，配备 EUV 的晶圆厂数目将增多近一倍，而电力浪掷也将增多一倍以上，电力基础标准将濒临首要挑战，因为即使在今天，AWS、谷歌、Meta 和微软等公司仍在竭力于寻找所在缔造 兆瓦和千兆瓦级数据中心 ，因为电网必须大略惩办它们。
如今，像英特尔这么的芯片制造商倾向于只使用可执续的绿色动力，但咫尺他们的电力浪掷有限。跟着东谈主工智能数据中心电力需求的不断增长， AWS、 微软和 甲骨文 方案使用核电站为其数据中心供电。也许几年后芯片制造商也不得不研讨使用核电。但是，电网是否能在短短六年内为东谈主工智能数据中心、先进晶圆厂、家庭和其他行业供电仍有待不雅察。
TechInsights 回想谈：“为了确保可执续的改日，该行业需要投资节能手艺、探索可再纯真力，并与策略制定者互助应酬电力基础标准的挑战。通过这么作念，他们将大略膨泰半导体的功率，同期最大贬抑地减少其对环境的影响。”
日本开发出EUV光刻新手艺，耗电量降至1/10
日本冲绳科学手艺大学院大学开发出一项手艺，大略大幅裁减制造最顶端半导体所需的极紫外线（EUV）光刻开垦的耗电量和制形资本。这项手艺将从开垦的光源到光刻的EUV旅途上建设的反光镜数目从底本的10个减少到4个。这么不错权贵减少EUV光源的耗电量。该大学将与企业互助，力图完毕这种开垦的日本国产化。
上述新手艺由冲绳科学手艺大学院大学的新竹积西席开发。咫尺，EUV光刻开垦由荷兰半导体制造开垦巨头ASML控股独家供应。现存开垦的旨趣是使用激光器产生EUV，并通过10个镜子波折反射到达晶圆，完毕电路图案的转印，相等复杂。
EUV的能量每经一次反射就会衰减40%，因此最终仅有1%驾驭的能量大略到达晶圆。而新手艺只用4个反光镜，有10%以上的能量大略到达晶圆。以EUV光源为中心，举座耗电量可减至底本的约十分之一。开垦的结构也可大幅简化，因此面前臆想需要200亿日元驾驭的开垦引入资本也险些不错减半。
冲绳科学手艺大学院大学今后将愚弄本色开垦二分之一大小的安设，使用发光二极管（LED）进行考据磨砺，然后从2025年开动愚弄EUV进行考据。新竹西席暗示，“咱们但愿与企业互助，最早2026年开发出第一台开垦”。